纳米图形相关论文
AlGaN材料是一种直接带隙第三代宽禁带半导体材料，其禁带宽度可通过改变AlGaN材料中Al元素的掺入量从3.4eV到6.2eV连续可调，是当前制......
III-V族光子器件与硅基微电子器件的集成,可以进一步提升现有通信网络的可用带宽容量,满足网络升级换代的需求。目前,高质量的Si和......
基于激光冷却和捕获原子的原理,初步探讨了利用原子进行纳米量级图形制作的基本原理和实验研究.研究结果表明,此技术可实现分辨率......
利用“蘸笔”纳米刻蚀技术(DPN)可在金、硅和氧化硅等较硬的固相衬底表面上制作不同的纳米级图案。但是,在柔软的物体表面如生物大......
通过简单添加一些附件,将一台带有扫描附件的商用透射电子显微镜改造为一台高压扫描电子束曝光机,以研究高压下高分辨率、高深宽比......
纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一.我们使用VB5电子束曝光系统,经过工......
采用AFM阳极氧化方法，在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下，在Al／SiO2／Si表面制备了Al2O3纳米图形，图形最小尺寸为70nm，研究了表面......
采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅（SiGe—on—insulator，SGOI）材料，然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积（UHVCVD）法外延了厚......
