【摘 要】
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单结晶体管是用一个n型硅棒制成的,硅棒二端各自的基极接点上接有B_1和B_2.在这二个有电阻的,即不起整流作用的接点背面的第三个接点(发射极)上形成一个pn结.所用的硅不同,
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单结晶体管是用一个n型硅棒制成的,硅棒二端各自的基极接点上接有B_1和B_2.在这二个有电阻的,即不起整流作用的接点背面的第三个接点(发射极)上形成一个pn结.所用的硅不同,二个基极之间硅的欧姆电阻R_(BB)也不同,大约为5～10千欧.图1为单结晶体管的构造及其符号.
The single-junction transistor is made of an n-type silicon rod with B_1 and B_2 connected to their respective base contacts at the two ends of the silicon rod. In the third of these two resistive, that is, A pn junction is formed on the contact (emitter). The silicon used is different and the ohmic resistance R_ (BB) of the silicon between the two bases is also about 5 to 10 kΩ. Figure 1 shows the structure of a single junction transistor and Its symbol.
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