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为了提高Ga N基LED的发光效率,缓解LED在大电流注入下的效率下降的问题,我们采用在传统的u型GaN垒层中插入7 nm的P型层的方法来改善多量子阱层中的空穴分布,提高载流子的辐射复合速率。实验结果表明：在垒层中插入7nm的P型层使得LED中空穴的分布更加均匀,载流子的辐射复合速率提高了20%。同时器件在200 mA的注入电流下内量子效率提高了36.3%,发光功率从100 mW提高到140 mW。