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射频LDMOS器件作为功率集成电路中的核心器件,已经成为国内外器件研究热点。目前主要的技术困难在于同时兼顾集成度高、功耗小以及......
为了降低栅源寄生电容C_(gs),提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件;采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析,重点研究了n......
为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容,提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOs器件,给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA......
随着移动通信技术的快速发展,射频功率器件的需求日益剧增。这对射频功率器件的性能也提出更高的要求。为了实现应用在移动通讯基......
LDMOS(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)器件最初作为微波双极型晶体管替代产品应用......
射频LDMOS器件由于其高耐压、高增益、实现工艺简单等优点,被广泛应用于移动通讯、雷达系统等领域。如今射频LDMOS器件已经发展到第......