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简要回顾了AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应研究的进展,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施.
AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展
【摘 要】
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简要回顾了AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应研究的进展,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2005年1期
【基金项目】
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中科院创新工程重要方向性项目经费;国家自然科学基金重点项目 (No.60 13 60 2 0 )经费;“973”项目 (No.G2 0 0 0 0 683和2 0 0 2 CB3 1190 3 )经费;“863”项目 (2 0 0 2 AA3 0 5 3 0 )经费的资助
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