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本文提出了一个短沟道、包含寄生双极晶体管效应的物理解析模型来分析薄膜ＳＯＩｎＭＯＳＦＥＴ强反型电流下的浮体效应，该模型通过研究各种寄生电流成分对源漏电流和浮体电位的贡献，以及浮体电位的变化对器件其他参数和如阈值电压和寄生寄生双极电流各成分的影响，成功地解释了器件处于背界面积累状态“Ｋｉｎｋ”现象和器件的异常击穿机理，本模型模拟结果从不同偏置电压、不同器件尺寸方面较好地拟合了实验曲线，同时还得到结论