InP表面等离子体CVD淀积SiO2膜的界面结构及C—V特性

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报道了以正硅酸乙酯(TEOS)为源,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术在InP表面低温生长SiO2钝化膜。对SiO2/InP界面态进行了X射线光谱(XPS)分析和C-V特性研究。
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