GaN基肖特基器件中的反常电容特性

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ghostlei

【摘要】

：

研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压（C-V）特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-

【作者】

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储开慧张文静许金通李向阳

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2010年3期

【关键词】

：

电容-电压特性肖特基器件 GAN基材料 capacitance-voltage characteristic Schottky diode GaN-bas

【基金项目】

：

Supported by National Natural Science Foundation of China（60708027）

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研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压（C-V）特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器件的电流-电压（I-V）特性和C-V特性进行参数提取和分析后认为,负值电容和峰的出现源于界面态的俘获和损耗,但较大的串联电阻将减弱界面态的作用.

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