【摘 要】
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综述了基于三大化合物半导体材料(GaAs基、InP基与GaN基)的量子级联探测器(QCD)的进展,对这三种材料体系的QCD的各种技术指标如光电流响应度、电阻、电流-电压特性等做了详细
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所,肇庆学院物理系,
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综述了基于三大化合物半导体材料(GaAs基、InP基与GaN基)的量子级联探测器(QCD)的进展,对这三种材料体系的QCD的各种技术指标如光电流响应度、电阻、电流-电压特性等做了详细的说明,最后对其他半导体材料及新型结构的QCD做了展望。
The progress of Quantum Cascade Detector (QCD) based on three compound semiconductor materials (GaAs, InP and GaN) is reviewed. The technical specifications of QCD, such as photocurrent responsivity, resistance , Current-voltage characteristics of a detailed description of the other semiconductor materials and the new structure of the final QCD prospects.
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