【摘 要】
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报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、
【机 构】
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南开大学,南昌航空工业学院,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
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报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组成、表面和横截面的形貌表征,并且测试了薄膜的PL谱.研究结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量.随衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶取向性开始增强,晶粒尺寸增大.在衬底温度约为450℃时,生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性.
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