fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a36020a

【摘要】

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在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最

【作者】

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郑英奎刘果果和致经刘新宇吴德馨

【机构】

：

中国科学院微电子研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年6期

【关键词】

：

GaN 蓝宝石 HEMT GaN sapphire substrate high electron mobility transistor

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在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.

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