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采用基于密度泛函理论（DFF）的平面波超软赝势法，用广义梯度近似（GGA）PBE交换相关泛函，对高压相变产生五种不同SnO2晶体结构的电子结构和力学性质进行了第一性原理计算．计算结果表明，Pnam型SnO2的形成相对困难，体模量较大，Pbca和Pnam型SnO2的维氏硬度值相差不明显．不同晶体结构的带隙存在差异，导带区域电子分布和弥散程度大于价带区域，局域性差．五种SnO2晶体结构的价带部分约在一10—0eV和-20--15ev处，主要贡献来自于O2p、2s轨道．光学性质计算表明，Pnam结构对紫外波段光