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利用二维器件仿真软件MEDICI建立了具有指数分布界面陷阱的n沟6H-SiC场效应晶体管的结构模型和物理模型,通过模拟研究,分析和讨论了界面陷阱对器件阈值电压、跨导及其温度特性的影响.
存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET温度特性研究
【摘 要】
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利用二维器件仿真软件MEDICI建立了具有指数分布界面陷阱的n沟6H-SiC场效应晶体管的结构模型和物理模型,通过模拟研究,分析和讨论了界面陷阱对器件阈值电压、跨导及其温度特
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年3期
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