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比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公式。计算结果也表明掺杂浓度和结深是影响阈值电压的两个主要参数。
非均匀掺杂增强型埋沟pMOSFET阈值电压的建模
【摘 要】
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比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公式。计算结果也表明掺杂浓度和结深是影响阈值
【机 构】
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复旦大学电子工程系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年2期
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