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为了开发氮化铟（InN）半导体材料在光电子领域的应用,采用磁控溅射法在Si（111）衬底上实现了InN薄膜的制备。通过X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对获得的InN薄膜样品进行表征,系统地研究了压强、Ar和N2流量比及衬底温度对InN薄膜结构、形貌的影响。结果表明：随着压强的增加,（101）峰的强度先增加后减小,晶面距离d先变小后变大且均获得三角锥形的InN薄膜;随着Ar与N2流量比的增加,InN薄膜的生长取向由沿（101）面变为沿（002）面生长且均获得三角锥状的InN晶粒;随着衬底温度的升高