INN薄膜相关论文
本文采用同步辐射XRD方法研究了不同温度下蓝宝石(0001)衬底上MOCVD异质外延六方相InN(h-InN)薄膜中立方相InN(c-InN)的相对含量的......
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响，在衬底和低温I......
本文报道了在Si衬底上生长温度对InN薄膜晶体质鼍的影响。采用MBE法在不同的生长温度下制备了InN的缓冲层,通过XRD、XPS、RHEED等......
Ⅲ族氮化物InxGa1-xN合金为直接带隙半导体,其禁带宽度随着In组分变化从3.43eV(GaN)到0.63eV(InN)连续可调,波长范围覆盖了0.36μm......
该文首先介绍了宽带隙半导体中基本光学过程,着重分析了能带带间包括能带带尾之间的跃迁,还介绍了其晶格振动和拉曼散射特性,同时......
该文进一步从实验和理论上研究了GaAs(111)基InN薄膜的光学常数.除了考虑带间跃迁,还记入了激子吸收和更高能级间跃迁对介电函数的......
该文的主要内容为新型半导体氮化铟(InN)薄膜的晶格振动(声子)特性研究.InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景,其光学和电......
利用磁控溅射技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上制备了InN薄膜。纯金属铟为靶材，溅射气体为Ar，反应气体为N2。用X射线衍射仪、扫描电子显微......
本文的主要内容为新型半导体氮化铟（InN）薄膜的光学性质。InN在光电子和微电子器件领域有很好的应用前景，其光学和电学性质研究显得非......
InN半导体电子迁移率、饱和漂移速率和渡越速度较高、带隙和电子有效质量较小，在未来高速高频厘米和毫米波电子器件、太赫兹辐射器......
通过变温 (10— 30 0K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs (111)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程 .在晶界势垒......
摘 要：InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率，低场迁移率，是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通......
半导体材料的非线性光学特性在光电子器件领域,如全光开关、光学限幅器、光波耦合器等方面有很好的应用价值。非线性光学材料已持......
为了开发氮化铟（InN）半导体材料在光电子领域的应用,采用磁控溅射法在Si（111）衬底上实现了InN薄膜的制备。通过X射线衍射仪（XRD）和扫描电......
