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本发明涉及一种红外探测器及其制备方法,包括衬底层,设置于衬底层上的半导体层。半导体层上方设置有贵金属膜,该金属膜上设置有多个倾斜的排列的金属棒。该红外探测器,是基于肖特基结的红外探测器,通过红外光影响肖特基结周围的电场分布,从而改变肖特基结的势垒电压,通过检测肖特基结的势垒电压的变化,实现对红外信号的探测。