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本文研究了界面陷阱对MOS器件栅电容C-V特性的影响。分别计算了几种不同的缺陷类型和不同分布形式界面陷阱作用下的栅电容 C-V 特性。研究结果表明，受主界面陷阱和中性电子界面陷阱导致MOS器件的平带电压向右移动，而施主界面陷阱和中性空穴界面陷阱会导致平带电压左移；能量分布在禁带中央的界面陷阱比靠近导带或价带的界面陷阱对C-V曲线的影响大。上述研究结果对定量研究不同类型的界面陷阱对高κ栅MOS器件电特性的影响有重要意义。