论文部分内容阅读
采用BCl3和Ar作为刻蚀气体对GaAs,AlAk,DRB反应离子刻蚀的速率进行了研究，通过控制反应的压强，功率，气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制，实验结果表明：在同样条件下GaAk刻蚀的速率高于DBR和A lAs,在一定条件下GaAs刻蚀的刻蚀速率棕达400nm/min，AlAs的刻蚀速率可达350nm/min,DBR的刻蚀速率可达340nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌，同时能够形成陡直的侧墙，侧墙的角度可达85°。