【摘 要】
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硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源，文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n＋型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅（SiO2∶Si）薄膜，然后用热扩散法进
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（10574008,10674012,50732001）和国家重点基础研究发展计划“973”计划项目（2007CB613401）资助
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硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源，文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n＋型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅（SiO2∶Si）薄膜，然后用热扩散法进行了锰（Mn2＋）掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3～5 nm的硅纳米晶体。该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光，光致发光谱峰位在524 nm（2.36 eV），一般认为这是来自Mn2＋能级4T1 →6A1基态跃迁的绿光辐射;其荧光寿命为0.8 ms。将该掺锰富硅二氧化硅（SiO2∶Si∶Mn2＋）做成电致发光结构
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