【摘 要】
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快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2,是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光谱中有919.6cm-1和1006cm-1两个吸收峰伴随VO
【机 构】
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河北工业大学材料科学与工程学院,天津工业大学信息与通信学院,中国原子能科学研究院
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快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2,是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光谱中有919.6cm-1和1006cm-1两个吸收峰伴随VO2(889cm-1,出现,这两个IR吸收峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的,此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度,都会使(O-V-O)转变为稳态VO2.辐照剂量在1019数量级,经400-450℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型,而VO2被抑制.
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