【摘 要】
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The first level plasmons of Si in pure Si state(corresponding to bonding energy(BE) of 116.95eV) and in the SiO2 state (corresponding to BE of 122.0 eV) of Si-S
【机 构】
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XinjiangPetroleumCollege
【基金项目】
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Beijing Zhongguancun Associated Center of Analysis and Measurement
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The first level plasmons of Si in pure Si state(corresponding to bonding energy(BE) of 116.95eV) and in the SiO2 state (corresponding to BE of 122.0 eV) of Si-SiO2 prepared by irradiationn hard and soft processing were studied with XPS before and after ^6
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