90nm器件将在2004年生产

来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jgw0646

【摘要】

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在美国半导体工业发展蓝图的积极引导下,预计2004年底(甚至也可能在2003年)将生产半节距为90nm的DRAM及栅长为37nm的微处理器等高性能器件。但是这种加速所付出的代价是减少

【作者】

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Laura peters 卢文豪

【出处】

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中国集成电路

【发表日期】

：

2002年7期

【关键词】

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电介质发展蓝图器件晶体管抗蚀剂光刻工艺微处理器封装可靠性阻挡层掩蔽层

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在美国半导体工业发展蓝图的积极引导下,预计2004年底(甚至也可能在2003年)将生产半节距为90nm的DRAM及栅长为37nm的微处理器等高性能器件。但是这种加速所付出的代价是减少了各代器件之间验证新材料、新工艺、新产品的可靠性所需要的时间。其后果之一是:与较长的研究开发周期情况相比,产业界对材料方面(从晶体管材

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