【摘 要】
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本文对在采用金球C-V技术,按照文献[2]所介绍的用d~2V_(FB))/dx~2求热生长SiO_2中电荷分布时的适用范围进行了研究.在我们的实验中发现:1)当SiO_2减薄到200～300 A时,对测量数
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本文对在采用金球C-V技术,按照文献[2]所介绍的用d~2V_(FB))/dx~2求热生长SiO_2中电荷分布时的适用范围进行了研究.在我们的实验中发现:1)当SiO_2减薄到200～300 A时,对测量数据的处理一定要填重.2)当SiO_2减薄到小于700(?)后,只要平带电压仍为负值时,测量值是不可靠的.
In this paper, we study the application of the golden sphere CV technique to calculate the charge distribution in the thermal growth of SiO 2 according to [2], d ~ 2V_ (FB)) / dx ~ 2, and found in our experiments : 1) When the SiO2 thinning to 200 ~ 300 A, the measurement data processing must be filled in. 2) When the SiO2 thinning to less than 700 (?), As long as the flat belt voltage is still negative, the measured value Is not reliable.
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