LPE相关论文
采用液相外延技术,试制了梯形衬底大光腔(LOC)可见光AlGaAs半导体激光器。其波长为717.2～770.0nm,室温(298K)连续工作阈值电流为300......
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过......
给出了漏光波导机制在四元系长波长半导体激光器中的一个应用实例。从理论上证明了漏光波导机制在四元系半导体材料中应用的可行性......
利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长......
Surface Oxidative Characterization of LPE HgCdTe Epilayer Studied by X-ray Photoelectron Spectroscop
The surface oxidative characterization of Liquid Phase Epitaxy (LPE) HgCdTe epilayer has been studied by X-ray Photoelec......
用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外延(LPE)方法在碲锌镉(Cd1-yZnyTe, y＝0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-x......
用水平开管液相外延技术在锑化铟衬底上用富铟锑化铟母液生长锑化铟薄膜材料,薄膜材料具有n-on-p结构,衬底为p型层,掺Ge,浓度1......
本文阐述了采用Si基复合衬底,利用液相外延方法成功进行中波碲镉汞薄膜生长的情况,并且采用X光双晶衍射、X光形貌、红外付立叶光谱......
文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密......
通过碲镉汞液相外延薄膜的典型缺陷的研究，结合国内外的研究现状，综述了各种缺陷的特征、起因、消除方法等。通过对HgCdTe液相外延层......
文章报道了采用液相外延方法，在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况，并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪......
利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ 夜视系统用光源。样品质量达到了设计要求。测量结果表明，样品在１０ Ｋ 下的光荧光谱的峰值波长为９２６ ．２６ ｎｍ 。......
高压半导体功率器件主要需求的材料为厚外延高阻的外延片，而LPE的优势在于生产厚外延产品，但厚外延高阻材料对于片内阻值均匀性的要......
通过改进推舟液相外延技术,成功地在（211）晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结......
【研究目的】该文对磷脂酶D抑制剂-LPE（溶血磷脂酰乙醇胺）处理采后“达赛莱克特”草莓果实品质的影响的研究,以探索保持草莓采后品质......
对红外透射光谱法测定HgCdTe液相外延材料纵向组分分布技术进行了深入的研究．红外透射光谱的理论计算采用了王庆学提出的组分分布模......
本文综述了新型压电晶体La3Ga5SiO14的最新研究进展,详细讨论了该晶体的生长问题,简单介绍了该晶体的性能及其在SAW和BAW方面的应......
对碲镉汞液相外延(Liquid phase epitaxy, LPE)石墨舟进行了数值模拟,计算了石墨舟温度场分布。通过在母液周围加入石英框,分析其......
由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手,改进水平滑舟液相外延工艺,从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性,使距薄膜边缘1.5 mm(衬底边......
通货膨胀是当前我国国民经济发展中遇到的热点问题,本文从探讨与通货膨胀率关系最直接的变量货币供应量出发,首先定性的讨论它们之......
介绍了硅外延生长技术,综述了应用于硅外延的分子束外延(MBE)、化学气相沉积(CVD)、液相沉积(LPE)三种工艺,并介绍了Si基外延材料......
随着集成电路（IC）制造工艺向深亚微米逐渐深入,寄生参数对IC的性能影响越来越大,因此对寄生参数的提取及分析（后仿真）也就显得愈发重要......
