【摘 要】
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以H2和CH4为反应气源,采用热丝化学气相沉积法（hot filament chemical vapor deposition,缩写HFCVD）,于不同温度下,在金属Mo表面上制备金刚石薄膜,并分别对薄膜进行退火和氧化
【机 构】
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中南大学材料科学与工程学院,中南大学粉末冶金国家重点实验室
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以H2和CH4为反应气源,采用热丝化学气相沉积法（hot filament chemical vapor deposition,缩写HFCVD）,于不同温度下,在金属Mo表面上制备金刚石薄膜,并分别对薄膜进行退火和氧化性酸处理。采用场发射扫描电镜（FESEM）、拉曼光谱（Raman）及物相分析（XRD）,研究沉积温度与后处理工艺对薄膜质量和薄膜表面内应力的影响。结果表明,在700℃下沉积的薄膜晶型良好,晶粒尺寸大且均匀,平均粒径为0.5μm,薄膜中存在2.72 GPa的压应力;该薄膜在氢气气氛中退火后质量
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