【摘 要】
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碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)属于宽禁带(WBG)材料,他们本身所具有的更高开关频率、工作温度和电压处理能力等特性,对能效和开关频率极其敏感的应用而言极其珍贵,比如数据中心、
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碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)属于宽禁带(WBG)材料,他们本身所具有的更高开关频率、工作温度和电压处理能力等特性,对能效和开关频率极其敏感的应用而言极其珍贵,比如数据中心、电动汽车等.在应用上,GaN一般用于小于1000V,低于3k W的应用.SiC的电压通常超过1000V,并且电流水平更高,如50A及以上,主要用作大功率高频功率器件.根据IHS的预估,SiC今年将有近5000万美元的市场份额(不包含电动汽车、军事和航空).由于在电源供应器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电、马达驱动,以及光伏和储能系统等领域的应用不断深入,到2028年,SiC的市场份额有望上升到1.6亿美元.
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