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利用能量输运模型（ＥＴＭ）系统研究了沟道δ掺杂分子布对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，发现δ掺杂结构不仅能够有效地抑制短沟道效应，而且可以获得较高的驱动速度，改善了掺杂容限特性；只要δ掺杂峰值浓度界面保持一定距离，则热电子产生率无明显增长，提出了的δ掺杂分布适用于０．１μｍＭＯＳＦＥＴ与均匀掺杂相比，它具有较高的综合品质因子。