直流反应磁控溅射Zn1-xCdxO薄膜的研究

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用直流应磁控溅射法在n-Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜,最佳生长温度为450℃(x=0.2).当x≤0.6时,Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构,x=0.8时,薄膜是由ZaO六角结构晶体和CdO立方结构晶体组成的混合物.透射光谱测试表明,通过改变合金薄膜中Cd的含量,可以调节Zn1-xCdxO薄膜的禁带宽度.
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