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利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜,并在氧气中进行不同条件的退火处理,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成MIOS电容结构,研究其物理及电学特性.结果表明,氧退火条件对衬底的钛酸锶钡薄膜的物理及电学特性有较为明显的影响.
氧退火对SiO2／Si衬底BST薄膜特性的影响
【摘 要】
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利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜,并在氧气中进行不同条件的退火处理,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成MIOS电容结构
【机 构】
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华南理工大学应用物理系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年3期
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