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利用蒙特卡罗方法对SiGe／Ge／siGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究．在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中，空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制．在77～300K的温度范围内，对自旋散射长度、自旋极化率等自旋极化输运特性进行了研究．模拟结果显示，低温和窄宽度沟道有利于减小散射对自旋极化输运的影响，避免自旋极化率衰减，增大自旋散射长度．栅控的漏端电流自旋相关效应使器件跨导增大，并产生负跨导效应．