随着信息技术领域、新兴的纳米科学工程的不断推进,自旋电子学已发展成一个跨基础科学、工程设计和产业生产的庞大领域,不但具有重......

近年来，随着介观物理和纳米加工技术的发展，自旋电子学的研究己取得了长足的进展。半导体自旋电子学的主要目标是在一个传统的半导体......

基于密度泛函理论的第一性原理电子结构计算方法平衡了计算精度与计算时间,自1964年提出至今,在物理、化学和材料等领域拥有广泛的......

基于电子具有自旋的特性，介绍了自旋场效应晶体管的基本原理和研究进展；通过研究发现自旋场效应晶体管具有良好的电导开关效应，外加磁......

自旋极化电流从铁磁金属注入到半导体的主要障碍是铁磁体和半导体电导率的不匹配。但最近研究结果表明可以通过运用适当的方法来克......

利用蒙特卡罗方法对SiGe／Ge／siGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究．在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中，空穴的自旋......

利用k·p方法研究了In0.53 Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律.随着栅电压Vg从-......

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用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明，不考虑自旋散射的作用，当漏极电压比较小时该器件能达到很......