基于增强型GaN HEMT的48V转1V负载点电源模块设计

来源 :电子元器件与信息技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kaka3456
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为进一步提高现有功率变换系统的开关频率,本文基于增强型GaN HEMT器件,设计了一种48V转1V高频负载点开关电源模块电路。该负载点电源采用倍流整流半桥结构和新型栅驱动电路,实现增强型GaN HEMT器件的高速控制,进而实现开关速度的提升。测试结果表明:该负载点电源电路的开关频率超过600KHz,对于10A的驱动电流建立时间为600ns,验证了设计的有效性。
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