锗硅选择性外延在应变技术中的应用

来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cfyanis

【摘要】

：

多年以来,沿着摩尔定律的途径,人们一直采用对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行等比例微缩来增加器件速度的方法。然而在晶体管 Over the years, along the path o

【作者】

：

王宸煜

【机构】

：

应用材料(中国)公司,

【出处】

：

集成电路应用

【发表日期】

：

2008年08期

【关键词】

：

锗硅选择性外延技术半导体场效应晶体管晶体管性能金属氧化物短沟道效应等比例缩小器件摩尔定律方法动态功耗电源电压电流密度迁移率芯片

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多年以来,沿着摩尔定律的途径,人们一直采用对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行等比例微缩来增加器件速度的方法。然而在晶体管 Over the years, along the path of Moore’s Law, methods have been used to increase the device speed by scaling the MOSFETs proportionally. However in the transistor

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