高压BCDMOS集成电路的工艺集成

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jeffery2010
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对高压BCD-MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化.在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管.测试结果表明,样管性能与模拟结果相符. The structure and process of high voltage BCD-MOS device are studied, and the device structure and process parameters are optimized and designed respectively by device simulation MEDICI and process simulation T-SUPREM software.On the premise of process compatibility, PNP, NMOS, PMOS, high-voltage LDMOS and other structures of the BCDMOS IC sample tube.The test results show that the sample tube performance and simulation results.
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