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对改性800合金(800M)在沸腾的50%NaOH+0.3%SiO2+0.3%Na2S2O3溶液中不同电位下恒电位极化2h后的表面膜进行了俄歇电子能谱(AES)分析,发现在所选择的电位条件下(-500 mV～80 mV),表面膜中Ni的富集因子比Fe、Cr的大一个数量级,表面膜富Ni而贫Fe、Cr.在-500mV,800M合金C形环试样发生晶间腐蚀(IGA)是由于表面膜中S富集、Cr的相对百分含量很低,S2-在晶界偏析及晶界形成严重贫铬区富集因子随电位的变化曲线有一拐点电位(Ecr=-40 mV).在-4