PLT晶种层对PLZT薄膜介电性能的影响

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jasonlau999
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采用sol-gel工艺,以钛酸铅镧(PLT)作为晶种层,在Pt/TiO2/Si基板上,制备了锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜。研究了有晶种层的PLZT薄膜的结晶温度及介电性能。结果表明:引入PLT晶种层的PLZT薄膜,在600℃热处理得到良好的钙钛矿结构,比无晶种层薄膜降低了约100℃;其相对介电常数为1177(1kHz),提高约60%,介质损耗为0.10~0.13,降低幅度最高可达40%~50%。
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