【摘 要】
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分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响。采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度。定量
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分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响。采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度。定量分析了g线光刻典型的斜坡角度下图形侧墙对离子注入后图形特征尺寸的影响。该研究结果可为CCD的设计和工艺制作提供参考。
The influence of lithography pattern sidewall slope on the feature size of the pattern after ion implantation is analyzed. The technological experiment was used to determine the efficiency of shielding ion implantation with different thickness of photoresist at the slope, and the graticule sidewall slope angle was confirmed by process monitoring. The effect of pattern sidewall on the feature size of the pattern after ion implantation is quantitatively analyzed by g line photolithography under the typical slope angle. The results of this research can provide reference for the design and fabrication of CCD.
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