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对激光剥离Al2O3／GaN技术，建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型．计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时，GaN外延层内的温度场分布，由此得到激光剥离的阈值条件。采用紫外KrF准分子激光器对Al2O3／GaN样品进行激光剥离实验，样品表面显微镜和端面扫描电镜（SEM）测试照片说明，计算结果与实验现象相符．进一步分析表明，脉冲激光的能量密度和频率是实现激光剥离的关键参数，适当选取这些参数能将GaN材料内的高温区控制在100nm以内，实现高效低损伤激光剥离。