【摘 要】
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本文叙述了12GHz单片组合的低噪声GaAs MESFET放大器的设计和制造.每级单片放大器包含一个有源元件FET、一个隔直电容和两个射频旁路电容.在11.7～12.2GHz范围内,单级放大器增
【机 构】
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南京固体器件研究所,南京固体器件研究所,南京固体器件研究所
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本文叙述了12GHz单片组合的低噪声GaAs MESFET放大器的设计和制造.每级单片放大器包含一个有源元件FET、一个隔直电容和两个射频旁路电容.在11.7～12.2GHz范围内,单级放大器增益6.0dB,噪声系数3～3.5dB,三级放大器增益16～18dB,噪声系数≤4.0dB.
This article describes the design and manufacture of a low noise GaAs MESFET amplifier with a 12GHz monolithic combination. Each stage of a monolithic amplifier contains an active element FET, a blocking capacitor, and two RF bypass capacitors. In the 11.7 to 12.2GHz range, Single-stage amplifier gain of 6.0dB, the noise figure of 3 ~ 3.5dB, three amplifier gain of 16 ~ 18dB, noise figure ≤ 4.0dB.
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