Ka波段单片低噪声放大器

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：manking93

【摘要】

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利用0.25μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级联结构.利用微带电路实现输入、输出和级间匹

【作者】

：

杨浩黄华郝明丽陈立强张海英

【机构】

：

中国科学院微电子研究所

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年4期

【关键词】

：

微波单片集成电路低噪声放大器赝配高电子迁移率晶体管微带电路 MMIC low noise amplifier PHEMT microstrip l

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利用0.25μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级联结构.利用微带电路实现输入、输出和级间匹配.通过对电路增益、噪声系数和驻波比等指标进行多目标优化,确定了器件参数.该放大器测试结果为：26.5-36 GHz频段内增益大于20 dB;多数测试点噪声系数小于3 dB,其中34 GHz频点噪声仅为1.94 dB;芯片面积2.88 mm×1 mm.

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