东芝研制单片集成160万元件的256k位CMOS静态RAM

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东京芝浦电气研制并发表了采用1μm的微细加工技术等,在单片上集成了约160方元件的第二代超大规模集成电路(256k位CMOS静态RAM)。 这次研制的静态RAM尺寸为6.68mm×8.86mm,在与当前的256K位动态RAM几乎相同的面积上,集成了约4倍于动态RAM的晶体管,实现了取数时间46ns,工作电流2mA,以及待机时的功耗30μw的高速、低功耗特性。 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. has developed and released a second-generation VLSI (256k-bit CMOS Static RAM) that integrates a single-chip device with about 1μm microfabrication technology. The developed static RAM size of 6.68mm × 8.86mm, in the current 256K-bit dynamic RAM almost the same area, integrated about 4 times the dynamic RAM of the transistor, the access time of 46ns, the operating current 2mA, As well as the power consumption of standby 30μw high speed, low power consumption characteristic.
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