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采用射频共溅射方法制备了NixZn1-xO（x=0．78、0．72、0．68）薄膜。薄膜有非晶相和少量的NiO结晶相的存在。样品都具有明显的室温铁磁性，退火后（TA=803K）Ni0.78Zn0.22O薄膜的饱和磁化强度Ms可达65emu／cm3，对应单个Ni离子磁矩大于0．13μB。低温下制备态薄膜都出现了电阻率极小值的现象，这是由于样品发生了金属-绝缘体转变。