论文部分内容阅读
为明确深亚微米M OS差分对管在电离辐射环境下晶体管失配表征方法及损伤机理，本文针对0.18μm NMOS、PMOS差分对管，进行了60^Coγ总剂量辐射效应研究。研究结果表明：与PMOS差分对管相比，NMOS差分对管对总剂量辐照更敏感，主要表现在：1）辐照引起NMOS差分对管转移特征曲线失配增加；2） NMOS差分对管阈值电压失配随辐照总剂量的增加而增大；3）栅极电流辐照后稍有增加，失配随栅极电压的增加而增大。而PM OS差分对管在整个辐照过程中，无论是曲线还是参数均未出现明显变化，且失配亦未随辐照总剂