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以一种经典的窄带低噪声放大器结构为基础，分析级联放大器的S参数．通过优化元件参数，获得了一种在3．6～4．7 GHz范围内具有低输入回波损耗、低噪声系数的放大器。采用标准的0．18μm RF CMOS工艺进行了设计和实现。芯片面积为0．6mm×1．5mm。测试结果表明；在3．6～4．7 GHz的范围内，该宽带低噪声放大器输入回波损耗小于-14dB；噪声系数小于2．8dB，增益大于10dB。在1．8V电源下功耗约为45mW。