射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和Ⅰ-Ⅴ特性

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：duyalengp

【摘要】

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用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制

【作者】

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赵占霞栗敏詹颜王德明马忠权孙铁囤

【机构】

：

上海大学物理系,上海交通大学物理系

【出处】

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功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

纳米硅薄膜 RF溅射 Ⅰ-Ⅴ曲线能带模型 Nano-crystalline silicon thin film RF-sputtering Ⅰ-Ⅴ curve

【基金项目】

：

the fund for selecting outstanding youth teacher of Shanghai Municipal Education Committee,China;

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用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.

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