【摘 要】
：
高质量半导体薄膜是制备高性能光电器件的基础,其光电子性质很大程度受衬底所制约,实验检测薄膜下衬底性质,有助于薄膜生长优化。然而,表面薄膜覆盖后的衬底特性检测通常受到
【机 构】
：
上海理工大学材料科学与工程学院,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
【基金项目】
：
国家自然科学基金项目(11974368,61675224),上海市自然科学基金项目(18ZR1446100),中国科学院上海技术物理研究所创新项目(CX-240)
论文部分内容阅读
高质量半导体薄膜是制备高性能光电器件的基础,其光电子性质很大程度受衬底所制约,实验检测薄膜下衬底性质,有助于薄膜生长优化。然而,表面薄膜覆盖后的衬底特性检测通常受到严重制约。报道一种傅里叶变换拉曼光谱方法,利用低光子能量红外激发光的深穿透特性,降低薄膜影响,有效获取薄膜下半导体衬底的拉曼散射信息。GaAs上外延CdTe薄膜演示分析表明,相对于常规拉曼光谱方法,CdTe薄膜拉曼散射被抑制而GaAs衬底信号得到显著增强,光谱信噪比超过70,可为半导体薄膜下衬底的实验测试乃至多层半导体纵向结构表征的有效新途径。
其他文献
为了对JCZ系列超宽频带地震仪采集到的地震数据进行有效去噪,探讨小波阈值法在不同地震数据中去噪的实际效果。首先介绍小波法的基本理论与去噪标准,探讨不同小波基的选取、不同分解、重建尺度与阈值的选取及处理方式对小波阈值法最终去噪效果产生的影响;使用控制变量法,选取武汉水院地震台的记录数据,探讨如何获得较好的去噪效果。为了比较小震和中强震两种情况下相同方法的处理效果,将选择好的小波基与几何尺度用于震例数
为了提高长波红外量子阱探测器的光耦合效率和信噪比,以8.7μm为中心波长,设计和制备了量子阱亚波长微柱阵列结构。与已经报道的金属或介质微腔结构不同,本文的微柱结构有源
现有1.0 eV/0.75 eV InGaAsP/InGaAs双结太阳电池的开路电压小于各子电池的开路电压之和,鲜有研究探索开路电压损耗的来源以及如何抑制。通过研究发现,InGaAs底电池背场/基区
研究了基于肖特基二极管的单路和功率合成式110 GHz大功率平衡式二倍频器。单路倍频器电路具有33%的峰值测试效率,且其工作带宽超过13.6%。另外,采用了不同的双路合成结构来
研究了卷曲量子阱红外探测器的应力状态变化及对光电性能的影响,发现拉应力使导带能级上移,压应力则使其下移,且双量子阱结构的卷曲薄膜的能带移动取决于两个量子阱的合应力
聚焦于星载固态功率放大器的高频化,设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效
设计了一款基于微带结构的宽带毫米波分谐波混频器。混频器中引入了短路结构的宽带射频滤波器以及一个高性能本振-中频双工器,这些无源电路能够抑制空闲组合频率,同时为中频
利用太赫兹时域光谱(THz-TDS)技术研究了氧化铝(Al2O3)在宽带太赫兹波范围(0.2~3.0 THz)内的光谱特性。改变晶体光轴与太赫兹脉冲偏振方向间的夹角(方位角),得到了Al2O3晶体
为具备尽量宽的波长调谐范围,可调谐Fabry-Perot滤波器(TFPF)作为分光器件应用于高光谱遥感时其腔长必须很小。不同于传统Fabry-Perot干涉仪,当TFPF的腔长与谐振波长相当时,其反射镜上的反射相移不可忽略。本文基于传输矩阵方法,在宽光谱范围内对介质反射镜的反射相移和TFPF的滤波特性进行了数值计算。结果显示,考虑反射相移后TFPF表现出更高的光谱分辨率,并且波长调谐范围被压缩。研