背场相关论文
介绍了N-PERT电池和固态源共扩散简介现行硼磷扩散工艺与固态源共扩散的对比固态源扩散P+和N+层实验结果结论N-PERT电池简介结构简......
在n-Si与金属电极之间插入电子选择性材料Ca和Cs2CO3、LiFx,可有效降低接触电阻和界面复合,该文研究Ca和Cs2CO3、LiFx作为背场在氧......
在太阳能电池制作过程中,烧结工艺对电池的各项参数起着至关重要的作用.现在大规模生产过程中普遍采用共烧来进行生产,即背场和正......
采用AFORS-HET数值模拟软件,对不同带隙的薄膜硅材料在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的背场效果进行了模拟,分析了影响背场效果......
现有1.0 eV/0.75 eV InGaAsP/InGaAs双结太阳电池的开路电压小于各子电池的开路电压之和,鲜有研究探索开路电压损耗的来源以及如何......
讨论了硅与砷化镓背场太阳能电池民中背面高低结的光伏效应和工作原理，并针对《硅和砷化镓背场太阳能电池对比研究》一文中关于太阳......
新技术的开发与运用同时也极大地促进了太阳电池的商业化发展。太阳电池产业化所面临的主要问题之一是如何在保证电池高转换效率前......
采用限定变量的方法。运用AFORS—HET（Automat FOR Simulation of HETerostructures）软件计算模拟了不同厚度、掺杂浓度和禁带宽度的......
表8为n型PERT太阳电池的双面率数据,其产线效率普遍在21%~21.5%。n型PERT太阳电池有两大优势:1)双面率较高,普遍可达到90%左右;2)......
为非晶彬多晶硅太阳电池设计增加了一层重掺杂的非晶硅薄膜作为背场，利用AMPS程序模拟发现电池的光伏性能明显改善．模拟中还发现，有无......
对于硅基太阳电池来说,背场是高效率的先决条件之一。背场起到的关键作用在于其能够阻挡少子载流子并且传输多数载流子来提高电池......
采用AFORS—HET软件模拟了微晶硅背场对μc-si（n）／c-si（p）异质结太阳电池性能的影响。结果显示：微晶硅背场的厚度对电池性能影响较小；而随......
为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场。基于离子注入技术准直性和均匀性......
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运用AFORS-HET软件对β-FeSi2（n）/a-Si（i）/c-Si（p）/μc-Si（p^＋）HIT型异质结太阳能电池的性能进行了模拟,并对各层参数进行了优化。模拟结果......
分别采用4种不同粒度（平均粒度为1.37、3.95、6.08和9.73μm）的铝粉制备单晶硅太阳能电池铝浆,研究铝粉粒度和烧结温度（800、830、850......
作为一类新型的太阳电池,有机-无机杂化太阳电池既利用了无机半导体材料(主要为硅基材料)优异的光电性能、稳定性、与现有工艺相兼......
采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了背场对TCO/a-Si∶H(p+)/a-Si∶H(i)/c-Si(n)/a-Si∶H(i)/a-Si∶H(n+)/TCO双面HIT异质结......
在商业化晶体硅太阳电池制造技术中,广泛采用丝网印刷铝浆烧结工艺制作铝背场(BSF)。铝浆经过烧结与衬底硅材料发生共熔合金后,形......
为了解决传统PERC型太阳能电池局部铝背场中P+层载流子浓度不高,背面结深较浅及孔洞比例较高等问题,本文对纳秒激光在太阳能硅基片......
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