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碳纳米管(CNT)和衬底的电学接触问题是获得高性能CNT电子器件的一个关键性的问题。本文采用电泳电镀方法制备CNT冷阴极,有效改善了CNT与衬底间接触电阻,增强了碳纳米管场发射性能。电泳电镀法制备的碳纳米管冷阴极场发射的开启电场(电流密度为10μmA·cm^-2时的电场)由2.95V·μm-1降低到1.0V·um-1,在电场为8V·μm-1时电流密度由0.224增加到0.8112mA·cm-2。在电流密度为800μmA·cm^-2时进行1h的场发