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瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术.该项技术面向28nm工艺以后的产品，瑞萨电子将把该工艺的SoC（SystemtmaChip）生产全面委托给代工企业。
瑞萨通过标准CMOS实现28nm工艺DRAM混载技术
【摘 要】
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瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术.该项技术面向28nm工艺以后的产品，瑞萨电子将把该工艺的SoC（SystemtmaChip）生产全面委托给代工企业。
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2011年6期
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